东芝推出第三代SiC mosfet,有助于提高效率

东芝电子设备和存储公司(“东芝”)推出了新的电源设备,“TWxxNxxxC系列”,其第三代碳化硅(SiC) mosfet[1][2],提供低通电阻和显著降低开关损耗。10个产品,5个1200V, 5个650V,今天已经开始出货。

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新产品使单位面积导通电阻(RDS(ON)A)降低约43%[3],使表征导通损耗与开关损耗关系的漏源极导通电阻*栅极漏电荷(RDS(ON)*Qgd)降低约80%[4]。这降低了开关损耗约20%[5],并降低了导通电阻和开关损耗。新产品有助于提高设备效率。

东芝将继续扩大其动力设备阵容,增强其生产设施,并旨在通过提供易于使用的高性能动力设备实现无碳经济。

东芝电子设备和存储公司是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,吸取了超过半个世纪的经验和创新,为客户和商业伙伴提供卓越的分立半导体、系统lsi和硬盘产品。
公司在世界各地的23000名员工都有一个共同的决心,即最大化产品价值,并促进与客户密切合作,共同创造价值和新市场。年销售额超过8500亿日元(75亿美元),东芝电子设备和存储公司期待为世界各地的人们建立和贡献一个更美好的未来。

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